Tutorial de cadencia: Silicio las puertas lógicas (Iowa estado Universidad EE330 laboratorio 4) (3 / 6 paso)

Paso 3: Diseño de un inversor con células de P

a continuación vamos a crear el diseño del convertidor utilizando células parametrizadas o p. P-las células son premade layouts de una célula que tienen parámetros que pueden ajustar para cambiar el diseño. En nuestro caso con transistor p-células y ajuste el parámetro de la anchura de la célula para crear el diseño de los transistores NMOS y PMOS. Usando células p ahorrará mucho tiempo en maquetar cada transistor individualmente.

1. crear una nueva visión de la célula de diseño para el inversor [Fig. 1]

A. Fije la vista Diseño
B. Haga clic en aceptar

• Se abrirá la ventana de diseño con una pantalla de presentación en blanco
• El de la izquierda es la barra de herramientas capas desde la que seleccionas que actualmente están trabajando con la capa diseño. El menú de capas también controla qué capas son seleccionables y que son visibles. [Fig. 2]

2. crear instancias de un NMOS diseño de célula p

• P-células pre-se hacen diseños que pueden modificarse para satisfacer las necesidades del diseñador al cambiar los parámetros del componente. En la figura 3 se muestran ejemplos de dos transistores PMOS p-las células. La izquierda p-celda tiene un ancho de 1.5 um y la célula de p a la derecha tiene una anchura de 4.5um. [Fig. 3]

A. Seleccione crear ⇒Instance... o la clave de éxito la "i"
B. establecer la biblioteca "NCSU_TechLib_ami06" [Fig. 4]
C. Coloque la celda a "nmos" [Fig. 4]
D. establecer la vista "diseño" [Fig. 4]
E. verificar el nombre del modelo se establece en "ami06N" [Fig. 4]
F el. establecer el ancho a 1.5um [Fig. 4]
G. colocar la celda en la ventana de diseño cerca del origen

3. diseño de célula p Def un PMOS

A. Seleccione crear ⇒Instance... o la clave de éxito la "i"
B. establecer la biblioteca "NCSU_TechLib_ami06" [Figura 5]
C. Coloque la célula «pmos"[Figura 5]
D. establecer la vista "diseño" [Figura 5]
E. verificar el nombre del modelo se establece en "ami06P" [Figura 5]
F el. establecer el ancho a 4.5um [Fig. 5]
G. colocar la celda en la ventana de diseño directamente sobre la célula NMOS

• Las células NMOS y PMOS aparecerá como representaciones de nivel celular [Fig. 6]

4. golpear la tecla shift y la tecla "F" simultáneamente para cambiar a la vista de la capa

• Capas del diseño serán visibles [Fig. 7]
• Presionar la tecla ctrl y la tecla "F" al mismo tiempo volver la vista a nivel de componente celular y abstraernos del diseño subyacente.

5. vuelva a colocar la célula NMOS [Fig. 8]

• Centro de la puerta de (capa de polietileno rojo) de polisilicio del NMOS y PMOS con otros

A. Haga clic y mantenga presionado en el centro de la célula NMOS
B. arrastre la celda NMOS en posición

6. Conecte el NMOS y PMOS puertas [Fig. 8]

A. Seleccione crear ⇒ ⇒ la forma rectángulo o presione la tecla "R"
B. Seleccione "poli" de la barra de herramientas de capas
C. dibujar un rectángulo entre la puerta de los NMOS y la puerta de las PMOS

• Polígonos superpuestos en la misma capa no tiene efecto en el diseño.

7. Agregar conexión de PMOS a granel [Fig. 11]

A. Seleccione crea ⇒ Via...
B. Seleccione "NTAP" la via campo de definición [Fig. 9]
C. Coloque la conexión de PMOS a granel cerca el PMOS a verde n-well

• El terminal a granel es el n-pozo que el PMOS se coloca dentro.

8. Agregar conexión de NMOS a granel [Fig. 11]

A. Seleccione crea ⇒ Via...
B. Seleccione "M1_P" para la vía campo definición [Fig. 10]
C. Coloque la conexión de a granel NMOS la izquierda o derecha del transistor NMOS

• El terminal a granel de los NMOS es el substrato p dopado.

9. capa metálica Agregar via para conectar entrada a las puertas de polisilicio [figura 13]

A. Seleccione crea ⇒ Via...
B. Seleccione "M1_POLY" para la vía campo definición [Fig. 12]
C. Coloque la conexión de a granel NMOS la izquierda o derecha del transistor NMOS

• La entrada debe empezar en metal por lo que es fácil para el inversor. La vía conecta el cableado de alimentación de metal a las puertas de polisilicio.

10. alambre de la entrada [figura 13]

A. Conecte la entrada por la puerta de polisilicio

• Utilizar un rectángulo de poly para esta conexión

B. alambre de la entrada en el borde izquierdo de la célula.

• Use Metal 1 para cablear la entrada por el borde izquierdo.

11. la salida del cable [figura 13]

• La salida será por cable hasta el borde de la derecha de la celda.
• La salida debe conectarse el terminal derecho (desagüe) de cada transistor de la salida.

12. líneas de alimentación de alambre [figura 13]

• Vdd debe establecerse como un alambre en metal1 en la parte superior de la célula.
• Vdd debe conectar al terminal izquierdo (fuente) de las PMOS y la mayor parte de las PMOS.
• Vss debe establecerse como un alambre en metal1 a través del fondo de la célula
• Vss debe conectar al terminal izquierdo (fuente) de los NMOS y el grueso de los NMOS.

13. añadir pins de energía [Fig. 14]

A. Seleccione crea ⇒ Pin...
B. Configure terminal nombres "Vdd Vss"
C. Seleccione "Entrada-salida" como tipo de I/O
D. Seleccione metal1 en la barra de herramientas de capas
E. agregar Vdd pin al cable alimentación superior
F. Añadir Vss pin al cable de alimentación inferior

14. Agregar entrada de Pin

• El perno debe estará en capa de metal1
• Pin tendrá I/O "Input" de tipo

15. Agregar Pin de salida

• El perno debe estará en capa de metal1
• Pin tendrá «Salida» I/O tipo

El diseño está listo para ser verificado.

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