Tutorial de cadencia: Silicio las puertas lógicas (Iowa estado Universidad EE330 laboratorio 4) (2 / 6 paso)

Paso 2: Diseñar un esquema de inversor

Crear un esquema para el inversor:

1. Seleccione "Lab4" biblioteca creada en el último paso
2. crear una nueva visión celular yendo a archivo ⇒ ⇒ nueva visión celular
3. nombre de la vista de la célula "Inverter" [Fig. 1]
4. establecer la vista para ser "esquemática" [Fig. 1]
5. Seleccione el tipo como "esquema" en el desplegable del menú [Fig. 1]
6. Haga clic en aceptar
7. Abra el esquema seleccionando desde el administrador de biblioteca [Fig. 2]

A. Seleccione la biblioteca de "Lab4" en el administrador de biblioteca
B. Seleccione la vista de la célula "Inverter" desde el administrador de biblioteca
C. Haga doble clic en la vista "esquema"

8. insertar una instancia de un NMOS de la biblioteca "NCSU_Analog_Parts"

⇒ A. Seleccione Crear instancia o golpee la "i" clave [Fig. 3]
B. Haga clic en "Examinar" junto a la entrada de la biblioteca en blanco [Fig. 4]
C. Seleccione "Piezas NCSU_Analog" biblioteca en el menú desplegable [Fig. 5]
D. Seleccione "N_Transistors"
E. Seleccione "nmos4" [Fig. 6]
Instancia F. lugar NMOS en la ventana esquema [Fig. 7]

9. insertar una instancia de un PMOS de la biblioteca "NCSU_Analog_Parts" [Fig. 8]

• El procedimiento es el mismo que se debe seleccionar en el paso 8, excepto el "P_Transistors" seguido por la celda "nmos4". Si el formulario de creación de instancias contiene la información para el NMOS el campo celular puede cambiar a "pmos4" en lugar de navegación para la vista.
• Asegúrese de cambiar el tamaño de las PMOS a 4.5um. Para lograr igual subida y caída de épocas el tamaño de los transistores PMOS en una red de pull-up debe ser tres veces mínimo. Tamaño mínimo en nuestro proceso es 1.5um. La movilidad de electrón, μP de un PMOS es 1/3 de un NMOS, conduciendo a la velocidad y resistencia eficaz las diferencias entre los tipos de dos transistor.

10. lugar poder pines

A. Seleccione crear ⇒Pin... o la tecla de golpear la "p"
B. Escriba "Vin Vout" en el nombre de la forma de creación de instancias de pin [Fig. 9]
C. Seleccione "Entrada-salida" como la dirección [Fig. 9]
D. Haga clic en la ventana esquema para colocar el pasador de Vdd [Fig. 10]

• El pin Vdd debe colocarse cerca de la fuente de las PMOS

E. Haga clic una segunda vez en la ventana de esquema para colocar el pin Vss [Fig. 10]

• El pin Vdd debe colocarse cerca de la fuente de los NMOS

11. Coloque la clavija de entrada

• El Pin de entrada debe colocarse a la izquierda cerca de las puertas de los transistores [Fig. 12]
• La "dirección" de la clavija de entrada debe ajustarse a la "entrada". [Fig. 11]

12. lugar el Pin de salida

• El pin de salida deberá colocarse a la derecha cerca de los desagües de los transistores. [Fig. 12]
• La "dirección" de la clavija de salida debe ajustarse a la "salida".

13. cable del inversor [figura 13]

A. Seleccione la herramienta de alambre para crear ⇒Wire (estrecho) o presionando "w"
B. Haga clic en un pin o un transistor y luego haga clic en sí para conectar los dos

• Los desagües PMOS y NMOS se conectan a la salida
• La fuente PMOS y a granel se conectan a Vdd
• La fuente NMOS y del bulto se conectan a Vss
• El PMOS y NMOS puertas están cableados a la entrada

El inversor completo esquemático está listo para diseño. [figura 13] Asegúrese de documentar su trabajo correctamente y preparar capturas de pantalla para tu informe de laboratorio.

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