Paso 15: MOSFET
Transistor del efecto de campo de óxido metálico pantalla
El MOSFET puede ser comparado con el transistor como un dispositivo de conmutación mucho más eficaz. Hay tres pines, al igual que los transistores y se llaman el desagüe, puerta y la fuente (ooo lujo).
El dren y la fuente pueden ser comparado con el colector y el emisor de un transistor, respectivamente. La puerta es exactamente igual a la base, excepto que un MOSFET es un dispositivo controlado por voltaje.
Bien, esto significa que en lugar de aplicar corriente aplicar tensión. Un MOSFET es un de muy o dispositivo. MOSFET es mucho más adecuado para la conmutación que se utiliza de forma lineal, pero pueden utilizarse linealmente. El calor creado por un mosfet en la fase lineal (entre encendido y apagado) es casi lo mismo que un transistor. La única razón mosfet no adecuado para esto es el umbral de nivel de tensión para mosfets es diferente para cada dispositivo. Que no se puede decir para transistores BJ. Un transistor se utiliza mejor para amplificar las señales, y un mosfet se utiliza mejor para la conmutación. Antes, transistores hicieron ambos trabajos, y francamente aspiran al cambio.
MOSFETS, como transistores, tienen caídas de tensión, la saturación y algo nuevo, en resistencia del estado. Esto es básicamente cuánto el mosfet resiste, como es saturado o girado completamente en el. MOSFETS tienen aumento en la resistencia a medida que aumenta la capacidad de manejo de la tensión.
Básicamente, trata de pensar de lo MOSFET como un resistor variable controlado por voltaje. Más tensión = más, pero esto puede solamente encender más a un punto determinado, hasta que empiece a dañar la FET. MOSFETS más tienen un límite de cuánto voltaje puede ser puesto sobre la puerta, normalmente es alrededor de +-20 voltios, pero algunos pueden manejar +-30 voltios. Superar esto, y se reducirá la vida de tu mosfet en esta tierra. La resistencia del estado en que pueda calcular cuánto calor tu mosfet generará por lo que le permite utilizar la ley de Ohm. (W = I2 * Ron) Hay dos propiedades únicas más a mosfets, y esos dos son los diodos cuerpo intrincados y el apagar y apagar a tiempo. El diodo del cuerpo sí se formó cuando un MOSFET es dado a luz, debido a los canales alternos de P - N de silicio dopado. No se puede quitar este diodo, se crea tan pronto como se crea el mosfet. Si este diodo es muy lento para aplicaciones de alta frecuencia, puede que necesite el diodo de derivación y añadir tu propio uno ultrarrápido.
Ahora, apague y encienda veces son extremadamente importantes cuando se trabaja con frecuencias de más de 5 kHZ o menos. A su vez el tiempo es básicamente la cantidad de tiempo que tarda el MOSFET encender, una vez que la puerta ha recibido una señal. MOSFETS, comparado con su primo más nuevos, los IGBT, (que se explicará un poco) son mucho más rápidos y han llegar en tiempos de cualquier lugar de 20 nS (nanosegundos!) o 20 billionths de un segundo para encender, en, cualquier momento en el mundo. Depende en que MOSFET te refieres. Apague veces, y retardo es a menudo un poco más encenderse veces. Apague veces y retrasos pueden variar de 30 nS a nS 1000. Si encender/apagar el mosfet más rápido que puede, genera calor y muchos de ellos, además de su circuito voluntad, mayo no funcione correctamente. MOSFETs tienen también algo que se llama capacitancia de entrada. La forma de que un Mosfet se hace básicamente crea un dieléctrico en el mosfet. La capacitancia de entrada varía, pero en su mayor parte es alrededor de 2200 pF 10000 PF. Esto complica conducir los mosfets y es que las razón exacta puerta coche anythings existen. La corriente más que permite la entrada capacitancia a cargar más rápido. Esto puede no sonar como que grande de un acuerdo, especialmente con la capacitancia poco hay, pero a altas frecuencias, esto hace que los mosfets encender y apagar más lentamente, induciendo problemas y calefacción. Timbrado en las puertas es también un gran problema, como mosfets tienen capacitancia y hay inductancia de los cables. Esto básicamente crea un circuito LCR y puede dañar/matar tu mosfet si es bastante malo. Resistencias de la puerta evitará que esto, junto con amortiguadores. (implican generalmente resistencias y condensadores y a veces diodos zener). MOSFET que tienen más capacidad de manejo generalmente tiene más capacidad que los que tienen menor capacidad actual. Generalmente esto tiene que ver con cuál es el tamaño. Die más grande = más capacidad para + más corriente.
MOSFETs también tienen un factor importante tener en cuenta; Ángel. Este es el mismo ángel que estaba hablando con diodos TVS. MOSFETS puede avalancha voltaje a través de ellas como exceso de calor. Esto hace estos tipos de MOSFET ideal para fines de transformador fly-back, como picos de voltaje pueden matar a un mosfet que no avalancha clasificado. No todos son avalancha clasificada; la hoja de datos te dirá si son o no. Pasando, hay cerca de dos tipos de MOSFET de canal P y canal N, el mosfet de canal N siendo la más común de los dos.
Los MOSFETs son también coeficiente de temperatura positivo, lo que significa la más caliente consiguen, la menos corriente que llevan a cabo. Resulta muy fácil para estos dispositivos en paralelo aunque con técnicas de conducción adicionales.
Los MOSFETS son utilizados en muchos muchos dispositivos digitales, debido a su naturaleza simple como el de dispositivos. (pensar en binario, ¿qué es?)
Porque se utilizan para la conmutación, pueden ser utilizados como relés, intermitentes de luz, generadores de sonido (como sintetizadores), convertidores, lógica de la CPU, puerta lógica, osciladores, como el contraluz de la laptop, si todavía utiliza CFL es.
Se utilizan MOSFETS en unas muy de pocos aficionados circuitos así.
